未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

MOSFET

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
90A 80V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80V 90A Specifikace zařízení DHD80N08.pdf
120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98V 120A Specifikace zařízení DHS046N10.pdf
Epitaxní silikonový tranzistor NPN 13003G5 TO-126 13003G5
-50A -40V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A Donghai_DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
8A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 TO-220C 600V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
Výkonový MOSFET 140A 30V P-channel Mode Enhancement DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
20A 650V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650V 20A 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
Výkonový MOSFET 63A 60V N-channel Enhancement Mode DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
-30A -100V Režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100V -30A Zařízení DH100P30CB1Q Specifikace.pdf
105A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40V 130A Specifikace zařízení DH025N04.pdf
140A 150V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150V 140A Donghai_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
Výkonový MOSFET 140A 30V P-channel Mode Enhancement DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
60A 68V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68V 60A Specifikace zařízení DH50N06FZC.pdf
130A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40V 130A Specifikace zařízení DH025N04.pdf
25A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100V 25A Zařízení+DHS250N10D+Specifikace+Rev1.0.pdf
10A 400V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 740 TO-220C 740 TO-220C 400V 10A Specifikace zařízení 740.pdf
120A 80V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80V 120A Donghai_DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
170A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
235A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH012N03U TOLL Package DH012N03U MÝTNÉ 30V 235A Zařízení+DH012N03U+Specifikace+V2.0.pdf
DSU024N10N3A TOLL balíček DSU024N10N3A MÝTNÉ 100V 272A Donghai_DSU024N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com