portão
Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
Você está aqui: Lar » Produtos » MOSFET



Modelo:
Pacote:
V:
UM:
LINHAS DE PRODUTOS SELECIONADAS:

MOSFET

de imagem de modelo Pacote V A Ficha técnica Detalhes Consulta Adicionar ao carrinho
40A 60V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Especificação do dispositivo DH400P06.pdf
90A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 PARA-252B 80 V 90A Especificação do dispositivo DHD80N08.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento do canal P 140A 30V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Transistor de Silício Epitaxial NPN 13003G5 TO-126 13003G5
8A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 TO-220C 600 V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D PARA-252B -40V -50A Donghai_DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
20A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650 V 20A 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
63A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
140A 150V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150 V 140A Donghai_DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
-30A -100V Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100V -30A Especificação do dispositivo DH100P30CB1Q.pdf
105A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40V 130A Especificação do dispositivo DH025N04.pdf
60A 68V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68 V 60A Especificação do dispositivo DH50N06FZC.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento do canal P 140A 30V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
130A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D PARA-252B 40V 130A Especificação do dispositivo DH025N04.pdf
25A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D PARA-252B 100 V 25A Dispositivo+DHS250N10D+Especificação+Rev1.0.pdf
10A 400V Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 740 TO-220C 740 TO-220C 400 V 10A Especificação do dispositivo 740.pdf
120A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80V 120A Donghai_DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
170A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
50A 120V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 TO-220C 120 V 50A Especificação do dispositivo DH150N12.pdf
50A 150V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH50N15 TO-220C DH50N15 TO-220C 150 V 50A Especificação do dispositivo DH50N15.pdf

Vídeo do produto



  • Inscreva-se em nosso boletim informativo
  • prepare-se para o futuro
    inscreva-se em nosso boletim informativo para receber atualizações diretamente em sua caixa de entrada