未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
40A 60V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Špecifikácia zariadenia DH400P06.pdf
90A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Zariadenie DHD80N08 Špecifikácia.pdf
-50A -40V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40 V -50A Donghai_DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
140A 30V P-kanál v režime vylepšenia výkonového MOSFETu DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Epitaxný silikónový tranzistor NPN 13003G5 TO-126 13003G5
8A 600V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 TO-220C 600 V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
63A 60V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
20A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650 V 20A 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
105A 40V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40 V 130A Zariadenie DH025N04 Špecifikácia.pdf
140A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA TO-220C 150 V 140A Donghai_ DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
-30A -100V P-channel Mode Enhancement Mode Power MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100V -30A Zariadenie DH100P30CB1Q Špecifikácia.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 TO-220C 68V 60A Zariadenie DH50N06FZC Špecifikácia.pdf
140A 30V P-kanál v režime vylepšenia výkonového MOSFETu DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
130A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40 V 130A Zariadenie DH025N04 Špecifikácia.pdf
170A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
25A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100 V 25A Zariadenie+DHS250N10D+Špecifikácia+Rev1.0.pdf
10A 400V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 740 TO-220C 740 TO-220C 400 V 10A Špecifikácia zariadenia 740.pdf
120A 80V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 TO-220C 80 V 120A Donghai_DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
50A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 TO-220C 120V 50A Špecifikácia zariadenia DH150N12.pdf
50A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH50N15 TO-220C DH50N15 TO-220C 150 V 50A Špecifikácia zariadenia DH50N15.pdf

Video o produkte



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com