未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tu: Domov » Výrobky » MOSFET



Model:
Balík:
V:
A:
Vybrané produktové rady:

Mosfet

obrazového modelu Balík v DataShet do podrobne popisuje dopyt koša
DSG019N04L TO-220C DSG019N04L Až 220 ° C 40V 180A DSG019N04L_DATASEet_V1.0.pdf
40 V/0,85 mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 Dse012n04na Na 263 40V 200A Dse012n04na_datashet_v1.0.pdf
100a 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DSP018N04LA DFN5X6 Balíček DSP018N04LA Dfn5x6 40V 100a  DSP018N04LA _DATASEet_v1.0.pdf
235A 30V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH012N03U Toll Balíček DH012N03U Mýto 30 V 235a Zariadenie+DH012N03U+Špecifikácia+v2.0.pdf
80V/3,4 mΩ/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80V 100a Dsp037n08n3_datashet_v1.0.pdf
170a 85V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DSP032N08NA DFN5X6 Dsp032n08na Dfn5x6 85V 170a Dsp032n08na_datashet_v1.0.pdf
DSE043N14N TO-263 Dse043n14n Na 263 135V 180A DSE043N14N & DSG045N14N_DATASEEet_V3.0.pdf
180A 135V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DSG045N14N TO-220 Dsg045n14n Až 220 ° C 135V 180A DSE043N14N & DSG045N14N_DATASEEet_V3.0.pdf
DSU024N10N3A Toll balíček DSU024N10N3A Mýto 100 V 272a DSU024N10N3A_DATASEet_V1.0.pdf
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
100V/1,7 mΩ/240a N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C DSG024N10N3 Až 220 ° C 100 V 240a DSG024N10N3 & DSE022N10N3_DATASEEet_V1.0.pdf
DSG031N10N3 TO-220C DSG031N10N3
9A 650V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 Až 252b 650V 9a 英文版 d9n65 技术规格书 (1) .pdf
60A 68V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D Až 252b 68 V 60A Zariadenie DH105N07 Špecifikácia.pdf
180A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DTG018N04N TO-220C Dtg018n04n Až 220 ° C 40V 180A Donghai DTG018N04N & DTJ018N04N Datashet Rev.1.0 .pdf
40A 1200V N-Channel SIC Power MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C Až 247 1200 V 40A Zariadenie DCC075M120G2C Špecifikácia.pdf
18A 200V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DH640 až 220C DH640 Až 220 ° C 200V 18a Zariadenie 640 Špecifikácia.pdf
12A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET B12N10/D12N10
200A 40V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET D1404/FD1404/ED1404
F6N90 až 220f F6n90 Až 220 ° C 900 V 6a 英文版 f6n90 技术规格书 .pdf

Video produkt



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty
    Odovzdať
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By Leadong.com