未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 4A 700 V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700 V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
96A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30 V 96A Specyfikacja urządzenia DH030N03P.pdf
16A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650 V 16A Donghai DHSJ21N65Z Karta katalogowa V1.0(1).pdf
20A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
65A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
300A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSU021N10NA PAKIET OPŁAT DSU021N10NA MYTO 100 V 300A Urządzenie+DSU021N10NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
120A100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia D120N10 TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia D120N10ZR.pdf
60A 100 V tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100 V 59A Specyfikacja urządzenia DH0159B76(1).pdf
80A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80A Urządzenie DH80N08 B22 Specyfikacja.pdf
80A 100 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Specyfikacja urządzenia DHS065N10P(1).pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
10,6 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650 V 10,6A Specyfikacja urządzenia DJF380N65T Rev.1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100 V 30A Specyfikacja urządzenia DH100P30AD.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500 V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
50A 200V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50A Specyfikacja urządzenia F50N20(1).pdf
180A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+karta katalogowa+wersja 1.0.pdf
180A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100 V 180A Urządzenie+DSE026N10NA i DSG028N10NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650 V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+karta katalogowa+wersja 1.0.pdf
4A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600 V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf

Film o produkcie



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com