未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
14A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F14N65 TO-220F F14N65 TO-220F 650 V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
4A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600 V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
23A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500 V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
180A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85 V 180A DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Arkusz danych_V2.0.pdf
OPŁATA N-MOSFET 100V/2mΩ/281A DSU023N10N3 MYTO 100 V 281A DSU023N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60A Specyfikacja urządzenia DH60N06+.pdf
10A 700V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 TO-220F 700 V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
7A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
17A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650 V 17A Specyfikacja urządzenia DHSJ17N65.pdf
15A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650 V 15A
18A 100 V tryb wzmocnienia kanału P MOSFET mocy DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100 V 18A Urządzenie DH100P18 B79 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30 V 100A Urządzenie DH100N03 B13 Specyfikacja.pdf
110A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS055N85.pdf
12A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 TO-220F 600 V 12A 英文版F12N60 技术规格书REV1.0(1).pdf
240A 100 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Specyfikacja urządzenia DHS025N10.pdf
19A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19A Specyfikacja urządzenia DH300N08.pdf
120A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C i TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
-30A -60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30A DH400P06LD i DH400P06LB_Arkusz danych_V2.0.pdf
112A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68 V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
30A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60 V 30A Specyfikacja urządzenia DHZ24B31.pdf

Film o produkcie



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com