未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET



Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

MOSFET

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
13A 500V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 13N50 TO-220C 13N50 TO-220C 500 V 13A 英文版13N50技术规格书.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 4A 600 V Fuqia MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600 V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 23A 500V MOSFET me fuqi 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500 V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 180A 85 V Fuqia MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85 V 180 A DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
100V/2mΩ/281A N-MOSFET TOLL DSU023N10N3 TOLL 100 V 281A DSU023N10N3_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
60A 68V 68V-N-kanali i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60 A Specifikimi i pajisjes DH60N06+.pdf
17A 650 V-kanal N-MOSFET Super Junction Power DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650 V 17A Specifikimi i pajisjes DHSJ17N65.pdf
7A 650V N-kanali i përmirësimit MOSFET me fuqi 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
10A 700V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 TO-220F 700 V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30 V 100A Specifikimi i pajisjes DH100N03 B13.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P 100 V 18A me fuqi MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100 V 18A Specifikimi i pajisjes DH100P18 B79.pdf
15A 650V N-kanali i përmirësimit MOSFET me fuqi 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650 V 15A
12A 600V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 TO-220F 600 V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 110A 85 V Fuqia MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS055N85.pdf
240A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100 V 240 A Specifikimi i pajisjes DHS025N10.pdf
19A 80V N-kanali N-Rritjes Modaliteti i fuqisë MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19A Specifikimi i pajisjes DH300N08.pdf
30A 60V N-kanal N-Mësimi Modaliteti i fuqisë MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60 V 30 A Specifikimi i pajisjes DHZ24B31.pdf
112A 68V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68 V 112A DH100N06_Fletë e të dhënave_V3.0.pdf
120A 80 V-kanal N-Rritjes Modaliteti i fuqisë MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C &TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Sheet_V1.0.pdf
-30A -60V modaliteti i përmirësimit të kanalit P me fuqi MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30 A DH400P06LD&DH400P06LB_Fletë të të dhënave_V2.0.pdf

Video e produktit



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com