未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » Mosfet



Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

MOSFET

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
-30A -100 V P-kanálové vylepšení Power MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30a Zařízení DH100P30CB1Q Specifikace.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180a Specifikace zařízení DH8004 (2) .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85v 120a Zařízení DHS045N88 Specifikace-Rev.1.0.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85v 120a Zařízení DHS045N88 Specifikace-Rev.1.0.pdf
20A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 20N50B TO-247 20n50b TO-247 500V 20a Specifikace 20N50 (1) .pdf
110a 85V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85v 110a Zařízení DHS055N85 Specifikace.pdf
238a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60V 238a Zařízení DH026N06 Specifikace.pdf
40a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30v 40a Dhd80n03_datasheet_v3.0.pdf
-100V/33MΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35a Dh100p30d_datasheet_v1.0+.pdf
4a 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET D4N65 TO-252B D4n65 TO-252B 650V 4a 英文版 D4n65 技术规格书 Rev1.0.pdf
90a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100v 50a Zařízení DH045N04 Specifikace.pdf
12A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650V 12a 英文版 12N65 技术规格书 .pdf
45a 100V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100v 45a DHS160N100D_DATASHEET_V2.0.pdf
140a 40V N-kanálový vylepšení režim Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5X6-8L 40V 140a Zařízení DHP035N04 Specifikace.pdf
14a 650V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 14N65 TO-220C 14n65 TO-220C 650V 14a 英文版 14N65 技术规格书 AY3 (1) .pdf
18A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET 18N50D TO-3PN 18n50d To-3pn 500V 18a 英文版 18N50D 技术规格书 .pdf
120a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40V 120a Zařízení+DTG045N04NA & DTE043N04NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
120a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40V 120a Zařízení+DTG045N04NA & DTE043N04NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
68V/7,2 mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68v 80a Dtd080n07n_datasheet_v1.0.pdf
100V/8MΩ/68A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100v 68a Dsd090n10l3a_datasheet_v1.0.pdf

Video produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com