未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » Mosfet



Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

MOSFET

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
50A 120V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50a Specifikace zařízení DH150N12.pdf
60A 68V N-kanálový vylepšení režim Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07p DFN5*6-8 70V 56a Dh105n07p_datasheet_v1.0 (1) .pdf
10A 400V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10a Zařízení 740 Specifikace.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180a Zařízení DHS020N04D Specifikace.pdf
105a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68v 105a Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+Datasheet+V2.0 .pdf
105a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68v 95a Donghai+DHS055N07B & DHS055N07D+Datasheet+V2.0 .pdf
-30A -60V režim vylepšení P-kanálu Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60V -30a Zařízení DH300P06 Specifikace.pdf
320a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30v 320a Zařízení DH012N03 Specifikace.pdf
320A 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30v 320a Zařízení DH012N03 Specifikace.pdf
8A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET B8N50 TO-251 B8n50 TO-251 500V 8a
60A 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68v 60a Zařízení 50N06B34 Specification.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68v 60a Zařízení 50N06B34 Specification.pdf
80a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68v 80a Zařízení DH072N07 Specifikace.pdf
80a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68v 80a Zařízení DH072N07 Specifikace.pdf
12A 100V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100v 12a Specifikace zařízení DH850N10D (1) .pdf
120a 98V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98v 120a Zařízení DHS046N10 Specifikace.pdf
100A 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100a Dh066n06d_datasheet_v2.0.pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145a Zařízení DH045N06 Specifikace.pdf
18A 100V P-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100v 18a Zařízení DH100P18 B79 Specifikace.pdf
18A 650V Izolovaná brána Bipolární tranzistor DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18a Specifikace zařízení DHG20T65D (TO-220F) .pdf

Video produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com