未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » mosfet



Mudel:
Pakett:
V:
V:
Valitud tooteliinid:

Mosfet

Pildimudeli ​ pakett v Andmelehe üksikasjade päring lisage korvi
50A 120 V N-kanali tugevdamisrežiim Power MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120 V 50A Seade DH150N12 spetsifikatsioon.pdf
60A 68V N-kanali parendamisrežiim MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P Dfn5*6-8 70 V 56a DH105N07P_DATASHEET_V1.0 (1) .pdf
10A 400 V N-kanali parendamisrežiim Power MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400 V 10A Seade 740 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 180A 40V DHS020NN04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180A Seade DHS020N04D spetsifikatsioon.pdf
105A 68V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68 V 105a Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+andmeleht+v2.0 .pdf
105A 68V N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68 V 95A Donghai+DHS055N07B & DHS055N07D+andmeleht+v2.0 .pdf
-30a -60v p-kanalite tugevdamise režiim Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60 V -30a Seade DH300P06 spetsifikatsioon.pdf
320A 30 V N-kanali tugevdamisrežiim MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30 V 320a Seade DH012N03 spetsifikatsioon.pdf
320A 30V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30 V 320a Seade DH012N03 spetsifikatsioon.pdf
8A 500V N-kanali tugevdamise režiimi võimsus MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500 V 8a
60A 68V N-kanali parendamisrežiim Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68 V 60A Seade 50n06b34 spetsifikatsioon.pdf
60A 68V N-kanali tugevdamisrežiim Power MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68 V 60A Seade 50n06b34 spetsifikatsioon.pdf
80A 68V N-kanali tugevdamisrežiim MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68 V 80A Seade DH072N07 spetsifikatsioon.pdf
80A 68V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68 V 80A Seade DH072N07 spetsifikatsioon.pdf
12A 100 V N-kanaliga tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100 V 12a Seade DH850N10D spetsifikatsioon (1) .pdf
120A 98V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98 V 120A Seade DHS046N10 spetsifikatsioon.pdf
100A 60 V N-kanaliga tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A DH066N06D_DATASHEET_V2.0.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145A Seade DH045N06 spetsifikatsioon.pdf
18a 100v p-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18a Seade DH100P18 B79 spetsifikatsioon.pdf
18a 650v isoleeritud värava bipolaarne transistor DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18a Seade DHG20T65D spetsifikatsioon (TO-220F) .pdf

Tootevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com