未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet



Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Mosfet

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
50A 120 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12d TO-252B 120 V. 50a Urządzenie DH150N12 Specyfikacja PDF
60A 68V NEC Cannel Mocnerem MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V. 56a DH105N07P_DATASHEET_V1.0 (1) .pdf
10A 400 V Tryb wzmacniający N MOSFET MOSFET F740 TO-220F F740 Do-220f 400 V. 10a Device 740 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40v 180a Urządzenie DHS020N04D Specyfikacja PDF
105A 68V Tryb wzmocnienia N-Kannel Moc MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E To-263 68v 105a Donghai+DHS055N07 i DHS055N07E+Arkusz danych+v2.0 .pdf
105A 68V Tryb wzmacniający N-kanał MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68v 95a Donghai+DHS055N07B i DHS055N07D+Arkusz danych+v2.0 .pdf
-30a -60 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60 V. -30a Urządzenie DH300P06 Specyfikacja.pdf
320A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30 V. 320a Urządzenie DH012N03 Specyfikacja.pdf
320A 30 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 To-220C 30 V. 320a Urządzenie DH012N03 Specyfikacja.pdf
8A 500 V Tryb wzmacniający N-Kanan Moc MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 To-251 500 V. 8a
60A 68V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 Do-220f 68v 60a Urządzenie 50N06B34 Specyfikacja. PDF
60A 68V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68v 60a Urządzenie 50N06B34 Specyfikacja. PDF
80A 68V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E To-263 68v 80a Urządzenie DH072N07 Specyfikacja.pdf
80A 68V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68v 80a Urządzenie DH072N07 Specyfikacja.pdf
12A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100 V. 12a Device DH850N10D Specyfikacja (1) .pdf
120A 98V Tryb wzmacniający N-kanał Noc MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98v 120a Urządzenie DHS046N10 Specyfikacja.pdf
100A 60V NIC CANLECTEMENT MOC MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 To-220C 60 V. 100a DH066N06D_DATASHEET_V2.0.PDF
Noc MOSFET 145A 60V DH045N06D Tryb wzmacniający kanał DH045N06 To-220C 60 V. 145a Urządzenie DH045N06 Specyfikacja.pdf
18A 100 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V. 18a Urządzenie DH100P18 B79 Specyfikacja.pdf
DHG20T65D TO-220F 18A 650V Izolowany Tranzystor DHG20T65D DHG20T65D Do-220f 650 V. 18a Device DHG20T65D Specyfikacja (TO-220F) .pdf

Wideo produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com