未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
DHS025N06B / DHS025N06D DHS025N06B/DHS025N06D
Pakiet OPŁAT DSU010N04LA DSU010N04LA
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U MYTO 100 V 180A Urządzenie+DHS025N10U+Specyfikacja+V2.0.pdf
80A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68 V 80A Specyfikacja urządzenia DH072N07.pdf
130A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85 V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
18A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 4A 700 V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700 V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
20A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
50A 200V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50A Specyfikacja urządzenia F50N20(1).pdf
65A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
96A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30 V 96A Specyfikacja urządzenia DH030N03P.pdf
300A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSU021N10NA PAKIET OPŁAT DSU021N10NA MYTO 100 V 300A Urządzenie+DSU021N10NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
120A100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia D120N10 TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia D120N10ZR.pdf
60A 100 V tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100 V 59A Specyfikacja urządzenia DH0159B76(1).pdf
8A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650 V 8A F8N65 技术规格书.pdf
80A 100 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Specyfikacja urządzenia DHS065N10P(1).pdf
80A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80A Urządzenie DH80N08 B22 Specyfikacja.pdf
12A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy F12N65 F12N65 TO-220F 650 V 12A 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf
10,6 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650 V 10,6A Specyfikacja urządzenia DJF380N65T Rev.1.0.pdf

Film o produkcie



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com