未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet



Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Mosfet

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
20A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100 V. 20a DHS400N10D_DATASHEET_V2.0 .PDF
N-kanał Super Junction Power MOSFET 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 TO-252B 650 V. 7a Urządzenie DHDSJ7N65 i DHBSJ7N65 Specyfikacja.doc.pdf
75A 100V Pechanned MOSFET MOSFET DH100P70 To-220C 100 V. 80a Urządzenie DH100P70 Specyfikacja.pdf
10A 650 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 Do-220f 650 V. 10a 英文版 F10N65 技术规格书 Rev1.0.pdf
Noc MOSFET 110A 100V DHS052N10F Tryb wzmacniający kanał N TO-220F DHS052N10F Do-220f 100 V. 110a Urządzenie DHS052N10 Specyfikacja.pdf
47A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5x6 100 V. 47a Urządzenie DH135N10P Specyfikacja. PDF
Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60 V. 12a Urządzenie DH500P06R Specyfikacja Rev.1.0.pdf
35A 120 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120 V. 35a Urządzenie+DSD270N12N3+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
155A 40V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 To-220C 40v 155a Urządzenie DH035N04 Specyfikacja.pdf
170A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
220A 40V NEGNES Ulepszenia N MOSFET MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA To-220C 40v 220a Urządzenie DTE02504NA i DTG025N04NA Specyfikacja Rev.1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F Do-220f 100 V. 68a DH140N10B i DH140N10D_DATASHEET_V1.0.PDF
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V. 110a Urządzenie DHS052N10 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E To-263 100 V. 110a Urządzenie DHS052N10 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V. 30a
30A 60V NEC Cannel Tryb wzmocnienia MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60 V. 30a Urządzenie DHZ24B31 Specyfikacja.pdf
25A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 To-220C 30 V. 150a Urządzenie DH025N03 Specyfikacja.pdf
120A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5x6 30 V. 120a Urządzenie DH025N03P Specyfikacja (1) (1) .pdf
116A 68V N MOSFET MOSFET MOSFET DH070N07 To-220C 70 V. 100a DH070N07 (T0F) _DATASHEET_V1.0.PDF
100A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10k TO-252B 30 V. 100a 30H10YAF_DATASHEET_V1.0.PDF

Wideo produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com