20A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy
1 Opis
Te krzemowe vdmosfety wzmocnione kanałem N są uzyskiwane dzięki technologii samonastawnej planarnej, która zmniejsza
utrata przewodzenia, poprawa wydajności przełączania i zwiększenie energii lawinowej. Co jest zgodne ze standardem RoHS.
2 funkcje
● Szybkie przełączanie
● Niski opór (Rdson≤0,3Ω)
● Niski ładunek bramki (typ: 52nC)
● Niskie pojemności przesyłu zwrotnego (typ: 16pF)
● 100% test energii lawinowej w pojedynczym impulsie
● 100% test ΔVDS
3 aplikacje
● Stosowany w różnych obwodach przełączania mocy w celu miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.
● Obwód wyłącznika zasilania adaptera i ładowarki.
| VDSS |
RDS(wł.)(TYP) |
ID |
| 500 V |
0,24 Ω |
20A |