F20N50/20N50B

20A 500V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย

vdmosfets ที่ปรับปรุงด้วยซิลิคอน N-channel เหล่านี้ได้มาจากเทคโนโลยีภาพถ่ายแนวระนาบในตัวเองซึ่งช่วยลด

การสูญเสียการนำไฟฟ้า ปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS

2 คุณสมบัติ

● การสลับอย่างรวดเร็ว

● ความต้านทานต่ำ (Rdson≤0.3Ω)

● ค่าเกตต่ำ (ประเภท: 52nC)

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 16pF)

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%

● การทดสอบ ΔVDS 100%

3 การใช้งาน

● ใช้ในวงจรสวิตชิ่งกำลังต่างๆ เพื่อการย่อขนาดระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น

● วงจรสวิตช์ไฟของอะแดปเตอร์และอุปกรณ์ชาร์จ

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
500V	0.24Ω	20เอ