20A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
Ці кремнієві N-канальні покращені vdmosfet, отримані за самовирівняною планарною технологією, яка зменшує
втрати провідності, покращують продуктивність перемикання та збільшують енергію лавини. Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Низький опір (Rdson≤0,3Ω)
● Низький заряд затвора (тип: 52nC)
● Низька зворотна ємність передачі (тип: 16 пФ)
● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● Використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.
● Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.
| VDSS |
RDS(увімкнено)(TYP) |
ID |
| 500В |
0,24 Ом |
20А |