Διαθεσιμότητα: | |
---|---|
Ποσότητα: | |
20A 500V N-Channel MODE MOSFET POWER MOSFET
1 περιγραφή
Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs του πυριτίου N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει το
Απώλεια αγωγιμότητας, βελτίωση της απόδοσης μεταγωγής και ενίσχυση της ενέργειας της χιονοστιβάδας. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Γρήγορη εναλλαγή
● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤0,3Ω)
● Χαμηλή φόρτιση πύλης (τύπος: 52NC)
● Χαμηλές χωρητικότητες μεταφοράς (τύπος: 16pf)
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής τροφοδοσίας για μικροσκοπία συστήματος και υψηλότερη απόδοση.
● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του προσαρμογέα και του φορτιστή.
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
500V | 0,24Ω | 20α |
20A 500V N-Channel MODE MOSFET POWER MOSFET
1 περιγραφή
Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs του πυριτίου N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει το
Απώλεια αγωγιμότητας, βελτίωση της απόδοσης μεταγωγής και ενίσχυση της ενέργειας της χιονοστιβάδας. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.
2 χαρακτηριστικά
● Γρήγορη εναλλαγή
● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤0,3Ω)
● Χαμηλή φόρτιση πύλης (τύπος: 52NC)
● Χαμηλές χωρητικότητες μεταφοράς (τύπος: 16pf)
● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche
● δοκιμή 100% ΔVDS
3 αιτήσεις
● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής τροφοδοσίας για μικροσκοπία συστήματος και υψηλότερη απόδοση.
● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του προσαρμογέα και του φορτιστή.
VDSS | RDS (ON) (τύπος) | ταυτότητα |
500V | 0,24Ω | 20α |