F20N50/20N50B

20A 500V Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET

1 Descriere

Aceste VDMOSFET-uri îmbunătățite cu canal în siliciu, este obținută prin tehnologia plană auto-aliniată care reduc

Pierderea de conducere, îmbunătățirea performanței de comutare și îmbunătățirea energiei de avalanșă. Care este în conformitate cu standardul ROHS.

2 caracteristici

● comutare rapidă

● Rezistență scăzută (RDSON≤0.3Ω)

● Încărcare scăzută a porții (TIP: 52NC)

● Capacități de transfer invers scăzut (TYP: 16PF)

● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă

● Test 100% ΔVDS

3 aplicații

● Folosit în diverse circuit de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare.

● Circuitul comutatorului de alimentare a adaptorului și încărcătorului.