F20N50/20N50B

20А 500 В N-арнаны жақсарту режимі Қуат MOSFET

1 Сипаттама

Бұл кремний N-арнасы жақсартылған vdmosfets, өздігінен тураланатын жазық технология арқылы алынған, олар

өткізгіштік жоғалту, коммутация өнімділігін жақсарту және көшкін энергиясын арттыру. Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді.

2 Мүмкіндіктер

● Жылдам ауысу

● Төмен қарсылық (Rdson≤0,3Ω)

● Төмен зарядтау (Типі: 52nC)

● Төмен кері тасымалдау сыйымдылығы (Типі: 16pF)

● 100% бір импульстік көшкін энергиясының сынағы

● 100% ΔVDS сынағы

3 Қолданбалар

● Жүйені кішірейту және жоғары тиімділік үшін әртүрлі қуат коммутация тізбегінде қолданылады.

● Адаптер мен зарядтағыштың қуат қосқышының тізбегі.

VDSS	RDS(қосу)(TYP)	ID
500В	0,24 Ом	20А