F20N50 / 20n50b

20a 500V N-channel ကိုတိုးမြှင့်ခြင်း Mode Power Mosfet Mosfet

1 ဖော်ပြချက်

ဤဆီလီကွန် N-channel ကို Enhanced VDMosfets များကို Selignmosfets ကိုလျှော့ချသည်

conduction ဆုံးရှုံးမှု, switching စွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုးတက်အောင်လုပ်ပြီး avalanche စွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးပါ။ အရာ rohs စံနှင့်အတူသဘောတူညီချက်။

အင်္ဂါရပ် 2 ခု

●မြန်ဆန်စွာ switching

●ခုခံခြင်းအပေါ်အနိမ့်ဆုံး (RDSON≤0.3ω)

●ဂိတ်အနိမ့်အနိမ့် (52nc)

●ပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းငွေပမာဏ (typ: 16pf)

● 100% တစ်ခုတည်းသွေးခုန်နှုန်း avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု

● 100% δvdsစမ်းသပ်မှု

3

● System Miniaturization နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပါဝါခလုတ်အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုသည်။

● adapter နှင့် charger ၏ power switch circuit ။