brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 7A 800V N MORNEGO Ulepszenia N MOSFET F7N80 TO-220F

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

7A 800 V Tryb wzmacniający N-Kananela Moc MOSFET F7N80 TO-220F

7A 800 V Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET
Dostępność:
Ilość:

7A 800 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET


1 Opis

Te ulepszone przez N-kanał VDMOSFET są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawiają wydajność przełączania i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem Rohs. TO-220F zapewnia napięcie izolacyjne oceniane przy 2000 V RMS ze wszystkich trzech zacisków do zewnętrznego ciepła. Seria TO-220F jest zgodna ze standardami UL (plik Ref: E252906). 


2 funkcje 

● Szybkie przełączanie 

● Ulepszona zdolność ESD 

● Niska rezystancja (RDSON ≤1,8Ω) 

● Niski ładunek bramki (typ: 33,9nc) 

● Niskie pojemności odwrotnego transferu (Typ: 11.2pf) 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikacje

● Używany w różnych obwodach przełączania zasilania do miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności. 

● Obwód przełącznika zasilania elektronowego balastu i adaptera.


VDSS  RDS (ON) (Typ) ID 
800 V. 1,5 Ω 7a



Poprzedni: 
Następny: 
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej