未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » mosfet



Mudel:
Pakett:
V:
V:
Valitud tooteliinid:

Mosfet

Pildimudeli ​ pakett v Andmelehe üksikasjade päring lisage korvi
20a 100 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100 V 20a DHS400N10D_DATASHEET_V2.0 .pdf
N-kanali super ristmiku võimsus MOSFET 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B Dhdsj7n65 TO-252B 650 V 7a Seade DHDSJ7N65 & DHBSJ7N65 SPECIFICIFICHIFICHIFICHIFICHIFIFIFIATSIOON.DOC.PDF
75A 100 V P-kanalite tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET DH100P70 TO-220C 100 V 80A Seade DH100P70 spetsifikatsioon.pdf
10A 650 V N-kanali tugevdamisrežiim Power MOSFET F10N65 TO-220F F10n65 TO-220F 650 V 10A 英文版 f10n65 技术规格书 rev1.0.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 110A 100V DHS052NN10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Seade DHS052N10 spetsifikatsioon.pdf
47A 100 V N-kanali tugevdamisrežiim MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P Dfn5x6 100 V 47a Seade DH135N10P spetsifikatsioon.pdf
P-kanalite tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R Dfn3x3 60 V 12a Seade DH500P06R spetsifikatsioon Rev.1.0.pdf
35A 120 V N-kanali tugevdusrežiim MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120 V 35a Seade+DSD270N12N3+SPECIFICATION+REV.1.0.pdf
155A 40V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155A Seade DH035N04 spetsifikatsioon.pdf
170A 30 V N-kanali tugevdamisrežiim MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
220A 40V N-kanali parendamise režiim MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40 V 220A Seade DTE025N04NA & DTG025N04NA SPECIFICHIFICHIFICHIFICHIFIFICE.1.0.pdf
N-kanali suurendamise režiimi võimsus MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68a DH140N10B & DH140N10D_DATASHEET_V1.0.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110A Seade DHS052N10 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Seade DHS052N10 spetsifikatsioon.pdf
P-kanalite tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30A
30A 60 V N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET DHDZ24 TO-252B Dhdz24 TO-252B 60 V 30A Seade DHZ24B31 spetsifikatsioon.pdf
25A 100 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30 V 150A Seade DH025N03 spetsifikatsioon.pdf
120A 30V N-kanali parendamise režiim Power Mosfet DH025N03P DFN5*6 DH025N03P Dfn5x6 30 V 120A Seade DH025N03P spetsifikatsioon (1) (1) .pdf
116a 68V N-kanali tugevdamise režiim Power MOSFET DH070N07 TO-220C 70 V 100A DH070N07 (T0F) _DATASHEET_V1.0.pdf
100A 30 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10k TO-252B 30 V 100A 30H10YAF_DATASHEET_V1.0.pdf

Tootevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com