未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85 V 100A Specyfikacja urządzenia DHS065N85.pdf
130A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V 68A DH140N10B i DH140N10D_Arkusz danych_V1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
3A 900 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900 V 3A Specyfikacja urządzenia DH3N90.pdf
30 V/2,2 mΩ/150 A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L TO-220C 30 V 150A DTG023N03L_Arkusz danych_V1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120 V 36A DSG270N12N3 i DSE270N12N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200 V 18A Specyfikacja urządzenia 640.pdf
7,6 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650 V 7,6A DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
10,6 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650 V 10,6A DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
-50A -60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60 V -50A Urządzenie+DH300P06L+Specyfikacja+Rev.2.0.pdf
33A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Specyfikacja urządzenia DH240N06L Rev.2.0.pdf
120A 70V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70 V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+karta katalogowa+V3.0 (1).pdf
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
240A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS022N06 i DHS022N06E+karta katalogowa+V2.0.pdf
54A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30 V 54A Specyfikacja urządzenia DH060N03R.pdf
2A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy B2N65 B2N65 TO-251B 650 V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
4,8 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650 V 4,8A DHDSJ5N65 i DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
80A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH045N04P DFN5X6 PAKIET DH045N04P DFN5X6 40 V 80A Specyfikacja urządzenia DH045N04P(1).pdf

Film o produkcie



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com