未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85V 100A Špecifikácia zariadenia DHS065N85.pdf
130A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200V 18A Špecifikácia zariadenia 640.pdf
7,6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650 V 7.6A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
3A 900V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900 V 3A Špecifikácia zariadenia DH3N90.pdf
30V/2,2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L TO-220C 30 V 150A Donghai_DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 TO-220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
10,6A 650V N-kanálový super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650 V 10,6A Donghai_DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
-50A -60V P-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L TO-220C -60 V -50A Zariadenie+DH300P06L+Špecifikácia+Rev.2.0.pdf
33A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33A Špecifikácia zariadenia DH240N06L Rev.2.0.pdf
120A 70V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70 V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Datasheet+V3.0 (1).pdf
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
240A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+DataSheet+V2.0.pdf
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
2A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650 V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
80A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH045N04P BALENIE DFN5X6 DH045N04P DFN5X6 40 V 80A Špecifikácia zariadenia DH045N04P(1).pdf
54A 30V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30 V 54A Zariadenie DH060N03R Špecifikácia.pdf
4,8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650 V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf

Video o produkte



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com