未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET



Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

MOSFET

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 -220C 85V 100A Laite DHS065N85 Specification.pdf
130A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200V 18A Device 640 Specification.pdf
7.6A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7.6A Donghai_DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
N-kanavainen tehostustila MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
3A 900 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900V 3A Laitteen DH3N90 Specification.pdf
30V/2,2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L -220C 30V 150A Donghai_DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 -220C 120V 36A Donghai_DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
10.6A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650V 10.6A Donghai_DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
-50A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH300P06L TO-220C DH300P06L -220C -60V -50A Laite+DH300P06L+Specification+Rev.2.0.pdf
33A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Laite DH240N06L Specification Rev.2.0.pdf
120A 70V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Datasheet+V3.0 (1).pdf
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
240A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 -220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+DataSheet+V2.0.pdf
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
2A 650 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
80A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH045N04P DFN5X6 PAKETTI DH045N04P DFN5X6 40V 80A Laite DH045N04P Specification(1).pdf
54A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Laitteen DH060N03R Specification.pdf
4.8A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4.8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com