未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET



Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

MOSFET

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 -220C 85V 100A Laite DHS065N85 Specification.pdf
130A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/DHS037N10E
N-kanavainen tehostustila MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100V 68A DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
3A 900 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHB3N90 TO-251 DHB3N90 TO-251 900V 3A Laitteen DH3N90 Specification.pdf
30V/2,2mΩ/150A N-MOSFET DTG023N03L TO-220C DTG023N03L -220C 30V 150A DTG023N03L_Datasheet_V1.0.pdf
120V/25mΩ/36A N-MOSFET DSG270N12N3 TO-220C DSG270N12N3 -220C 120V 36A DSG270N12N3&DSE270N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 TO-220F 200V 18A Device 640 Specification.pdf
7.6A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHFSJ8N65 TO-220F DHFSJ8N65 TO-220F 650V 7.6A DHFSJ8N65_Datesheet_V1.0.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
10.6A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJD380N65T TO-252B DJD380N65T TO-252B 650V 10.6A DJD380N65T_Datesheet_V1.0.pdf
-50A -60V ahdollistavat nopeamman ja johdonmukaisemman toiminnan jopa raskaassa kuormituksessa, mikä varmistaa, että käyttäjä voi suorittaa tehtäviä tehokkaammin. Korkeampi hyötysuhde vähentää myös ylikuumenemisen todennäköisyyttä, mikä pitää työkalun sujuvana pitkien käyttötuntien aikana. DH300P06L -220C -60V -50A Laite+DH300P06L+Specification+Rev.2.0.pdf
33A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33A Laite DH240N06L Tekniset tiedot Rev.2.0.pdf
120A 70V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Datasheet+V3.0 (1).pdf
240A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 -220C 60V 180A Donghai+DHS022N06&DHS022N06E+DataSheet+V2.0.pdf
DSP007N03LA DFN5X6 DSP007N03LA
DSG150N10L3 TO-220 DSG150N10L3
54A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Laitteen DH060N03R Specification.pdf
4.8A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4.8A DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
2A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
80A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH045N04P DFN5X6 PAKETTI DH045N04P DFN5X6 40V 80A Laite DH045N04P Specification(1).pdf

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com