未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET



Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

MOSFET

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
25A 100V N-kanavainen lisätila teho MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 -220C 100V 25A Laite 25N10 Specification.pdf
174A 85V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85V 174A Laite DHS030N88 Specification.pdf
80A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P DFN5*6-8 85V 80A Laitteen DHS065N85P Specification.pdf
8N65 - 220C 8N65
20A 600V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F20N60 TO-220F F20N60 TO-220F 600V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
96A 40V N-kanavainen lisätila teho MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A Donghai_DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
45A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100V 45A Donghai_DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
100A 30V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A Donghai_30H10_Datasheet_V1.0.pdf
8A 600 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F8N60 TO-220F F8N60 TO-220F 600V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
180A 135V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DSG052N14N -220C 135V 180A Donghai_DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P20D TO-252B -100V -20A Laite DH100P20 Specification.pdf
100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100V 60A Donghai_DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
4,5 A 650 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650V 4,5A 英文版F5N65C技术规格书REV1.1.pdf
10.6A 700V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJF420N70T TO-220F DJF420N70T TO-220F 700v 10.6A Laite DJF420N70T Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
60A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40V 60A Laite DH065N04P Specification.pdf
140A 85V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
10.6A 700V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DJD420N70T TO-252 DJD420N70T TO-252B 700V 10.6A Laite DJD420N70T Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 -220C 40V 180A Laite DHS020N04 Specification.pdf
150V/7,5mΩ/115A N-MOSFET TO-220C DSG092N15N3A -220C 150V 115A
200A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30V 200A Laite DH020N03(B39) Specification.pdf

Tuotevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com