未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » mosfet



Mudel:
Pakett:
V:
V:
Valitud tooteliinid:

Mosfet

Pildimudeli ​ pakett v Andmelehe üksikasjade päring lisage korvi
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Seade DHS045N88 SPECIFICATION-REV.1.0.pdf
P-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100 V -30a Seade DH100P28 spetsifikatsioon.pdf
8a 600 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET 8N60 TO-220C 8n60 TO-220C 600 V 8a 英文版 8n60 技术规格书 .pdf
20a 650v N-kanali parendamise režiim Power MOSFET 20N65D TO-3P 20n65d To-3pn 650 V 20a 英文版 20n65d 技术规格书 rev1.0.pdf
100A 40 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DHS008N04P DFN5X6 DHS008N04P Dfn5x6 40 V 100A DHS008N04P_DATASHEET_V1.0.pdf
8A 500 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET 8N50 TO-220C 8n50 TO-220C 500 V 8a 英文版 8n50 技术规格书 .pdf
16a 600V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET F16N60 TO-220F F16n60
70A 82V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82 V 70A Seade DH8290 spetsifikatsioon.pdf
5A 800V N-kanali tugevdamise režiim Power MOSFET F5N80 TO-220F F5n80 TO-220F 800 V 5A 英文版 f5n80 技术规格书 .pdf
20a 500 V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET F20N50 F20n50 TO-220F 500 V 20a 英文版 f20n50 技术规格书 rev1.1.pdf
5A 500 V N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5n50 TO-252B 500 V 5A Seade D5N50 ja B5N50 spetsifikatsioon.pdf
120A 85V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85 V 125A Seade+DSG048N08N3+SPECIFICATION+REV.1.0.pdf
0,8A 600 V N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600 V 0,8A
35A 100v p-kanalite tugevdamise režiim Power MOSFET DH100P35 TO-220C DH100P35 TO-220C 100 V 35a Seade DH100P35 spetsifikatsioon.pdf
90A 30V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30 V 90A Seade DH90N03 B17 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60 V 80A Seade 80n06 spetsifikatsioon.pdf
110A 100 V N-kanali tugevdamise režiimi võimsus MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
100A 30 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30 V 100A Seade DH033N03 spetsifikatsioon (1) .pdf
20A 650 V N-kanali tugevdamisrežiim MOSFET 20N65 TO-220C 20n65 TO-220C 650 V 20a 英文版 20n65 技术规格书 aa9.pdf
160A 40V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40 V 160A Seade 110n04 spetsifikatsioon.pdf

Tootevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com