未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » mosfet



Mudel:
Pakett:
V:
V:
Valitud tooteliinid:

Mosfet

Pildimudeli ​ pakett v Andmelehe üksikasjade päring lisage korvi
180A 80 V N-kanali parendamisrežiim Power MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 TO-220C 80 V 180A Seade DH029N08 spetsifikatsioon.pdf
40A 60 V p-kanalite tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Seade DH400P06 spetsifikatsioon.pdf
140A 30V P-kanalite tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
63A 60 V N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
120A 100 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100 V 120A Seade DH10H037R spetsifikatsioon.pdf
-30a -60v p-kanalite tugevdamise režiim Power MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30a DH400P06LD & DH400P06LB_DATASHEET_V2.0.pdf
80A 75 V N-kanali parendamise režiim MOSFET D7509 TO-220C D7509 TO-220C 75 V 80A Seade D7509 spetsifikatsioon.pdf
145A 30 V N-kanali tugevdamisrežiim MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30 V 145A Seade DH028N03 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 TO-220C 80 V 180A Seade DH8004 spetsifikatsioon (2) .pdf
240A 100 V N-kanali parendamise režiimi võimsus MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Seade DHS025N10 spetsifikatsioon.pdf
30A 60 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60 V 30A Seade DHZ24B31 spetsifikatsioon.pdf
12A 100 V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DH1K1N10D TO-252B Dh1k1n10d TO-252B 100 V 12a Seade DH1K1N10 spetsifikatsioon.pdf
20a 60 V p-kanalite tugevdamise režiim Power MOSFET DH9Z24 TO-220C Dh9z24 TO-220C 60 V 20a Seade DH9Z24B1R spetsifikatsioon Rev.1.0.pdf
25A 100 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100 V 25A Seade+DHS250N10D+SPECIFICATION+REV1.0.PDF
50A 120 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 TO-220C 120 V 50A Seade DH150N12 spetsifikatsioon.pdf
9a 900v N-kanali parendamise režiim Power MOSFET 9N90 TO-3PN 9n90 To-3pn 900 V 9a 英文版 9n90 3pn 技术规格书 .pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Seade DHS045N98 SPECIFICATION-REV.1.0.pdf
4A 600V N-kanali tugevdamise režiim Power MOSFET F4N60 TO-220F F4n60 TO-220F 600 V 4a 英文版 f4n60 技术规格书 .pdf
10A 400 V N-kanali parendamisrežiim MOSFET 740 TO-220C 740 TO-220C 400 V 10A Seade 740 spetsifikatsioon.pdf
10A 500V N-kanali parendamise režiimi võimsus MOSFET F10N50 TO-220F F10n50 TO-220F 500 V 10A 英文版 f10n50 技术规格书 (1) .pdf

Tootevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com