N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B

N-kanali parendamise režiimi võimsus MOSFET 5A 650V

1 kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud VDMOSFET-id saadakse ise joondatud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandavad lülitus jõudlust ja suurendavad laviini energiat. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. TO-220F pakub isolatsioonipinget, mis on hinnatud 2000 V RMS-ist kõigist kolmest klemmist kuni välise jahutusradiaiseini. TO-220F-seeria vastab UL-i standarditele (faili viide: E252906). 

2 funktsiooni 

● Kiire vahetamine

● ESD täiustatud võimekus 

● Madal takistus (RDSON≤2,4Ω) 

● Madal väravalaeng (tüüp: 17.3nc)

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus (tüüp: 6,88PF) 

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti 

● 100% ΔVDS -test 

3 rakendust 

● Süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema efektiivsuse jaoks kasutatud erinevates energialülitusahelates. 

● Elektronballasti ja adapteri toitelüliti vooluring.