Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B

Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 5A 650V

1 descripción

Estos VDMOSFET mejorados con el canal N, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejoran el rendimiento del cambio y mejora la energía de avalancha. Que concuerda con el estándar ROHS. TO20F proporciona voltaje de aislamiento con una calificación de 2000 V RMS desde los tres terminales hasta disipadores térmicos externos. La serie TO20F cumple con los estándares UL (REF de archivo: E252906). 

2 características 

● Cambio rápido

● ESD mejoró la capacidad 

● Baja de resistencia (rdson≤2.4Ω) 

● Baja carga de puerta (típ: 17.3nc)

● Capacitancias de transferencia inversa bajas (tipos: 6.88pf) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Utilizado en varios circuitos de conmutación de potencia para la miniaturización del sistema y una mayor eficiencia. 

● Circuito de interruptor de encendido de lastre de electrones y adaptador.