N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B

N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET 5A 650V

1 Açıklama

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir. RoHS standardına uygundur. TO-220F, üç terminalin tümünden harici soğutucuya 2000V RMS değerinde yalıtım voltajı sağlar. TO-220F serisi UL standartlarına uygundur (Dosya ref:E252906). 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş

● ESD'nin geliştirilmiş kapasitesi 

● Düşük direnç (Rdson≤2,4Ω) 

● Düşük geçit şarjı (Tip: 17,3nC)

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 6,88pF) 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Sistemin minyatürleştirilmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS(açık)（TYP)	İD
650V	1.9Ω	5A