N-canale Enhancement Modus Potentiae MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B

N-canale Enhancement Modus Power MOSFET 5A 650V

1 Description

Haec N-canale vdmosfets aucta, a technologia plani auto-aligna fit quae damnum conductionis minuit, emendare mutandi effectum et NIVIS energiam augere. Quod congruit cum RoHS vexillum. TO-220F praebet intentionem insulationem in 2000V RMS aestimatam ab omnibus tribus terminalibus calorum externorum. TO-220F series signa UL parere (File ref:E252906). 

2 Features 

Fast commutatione

ESD melius facultatem 

● Minimum resistente (Rdson≤2.4Ω) 

● Praefectum portae Minimum (Typ: 17.3nC)

Minimum contra facultates translationis (Typ: 6.88pF) 

C% una pulsus NIVIS industria test 

C% VDS test 

III Applications 

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum. 

● Potestas transiens ambitum electronico adprehensis et adaptor.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
650V	1.9Ω	5A