حالت تقویت کانال N- کانال قدرت MOSFET 5A 650V D5N65-XAD به 252b

حالت تقویت کانال N- کانال قدرت MOSFET 5A 650V

1 توضیحات

این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد. TO-220F ولتاژ عایق را در 2000 ولت RMS از هر سه پایانه به HeatSink خارجی ارائه می دهد. سری TO-220F با استانداردهای UL مطابقت دارد (پرونده Ref: E252906). 

2 ویژگی 

● سوئیچینگ سریع

● ESD قابلیت بهبود یافته 

● کم مقاومت (Rdson≤2.4Ω) 

charge شارژ پایین دروازه (تایپ: 17.3nc)

alpass خازن انتقال معکوس پایین (تایپ: 6.88pf) 

● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک 

● 100 ٪ تست ΔVDS 

3 برنامه 

● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود. 

circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی.