โหมดการปรับปรุง N-Channel Power MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B

โหมดการปรับปรุง N-Channel Power MOSFET 5A 650V

1 คำอธิบาย

N-Channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETS ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดแนวด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS TO-220F ให้แรงดันฉนวนที่ได้รับการจัดอันดับที่ 2000V RMS จากเทอร์มินัลทั้งสามไปยังฮีทซิงค์ภายนอก TO-220F ซีรี่ส์สอดคล้องกับมาตรฐาน UL (อ้างอิงไฟล์: E252906) 

2 คุณสมบัติ 

●การสลับอย่างรวดเร็ว

●ความสามารถที่ดีขึ้นของ ESD 

●ความต้านทานต่ำ (rdson≤2.4Ω) 

●ชาร์จเกตต่ำ (ประเภท: 17.3nc)

●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 6.88pf) 

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100% 

●การทดสอบ 100% ΔVDS 

3 แอปพลิเคชัน 

●ใช้ในวงจรสวิตช์พลังงานที่หลากหลายสำหรับการย่อขนาดของระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น 

●วงจรสวิตช์ไฟของอิเล็กตรอนบัลลาสต์และอะแดปเตอร์