未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet



Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Mosfet

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
180A 80V NEC CANLECTEMENT MOC MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 To-220C 80v 180a Urządzenie DH029N08 Specyfikacja.pdf
40A 60 V Tryb wzmacniający kanał P Moc MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 To-220C 60 V. 40a Urządzenie DH400P06 Specyfikacja.pdf
140A 30 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
63A 60V N-Kanannel Tryb wzmocnienia MOSFET MOSFET DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
120A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R To-220C 100 V. 120a Urządzenie DH10H037R Specyfikacja. PDF
-30a -60 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH400P06LD do 252b DH400P06LD TO-252B -60 V. -30a DH400P06LD i DH400P06LB_DATASHEET_V2.0.PDF
80A 75 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET D7509 TO-220C D7509 To-220C 75 V. 80a Urządzenie D7509 Specyfikacja.pdf
145A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30 V. 145a Urządzenie DH028N03 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 180A 80V DH8004 TO-220C DH8004 To-220C 80v 180a Device DH8004 Specyfikacja (2) .pdf
240A 100 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 To-220C 100 V. 240a Urządzenie DHS025N10 Specyfikacja.pdf
30A 60V NEC Cannel Elfancement Moc MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 To-220C 60 V. 30a Urządzenie DHZ24B31 Specyfikacja.pdf
12A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH1K1N10D TO-252B DH1K1N10D TO-252B 100 V. 12a Urządzenie DH1K1N10 Specyfikacja.pdf
20A 60 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH9Z24 TO-220C DH9Z24 To-220C 60 V. 20a Urządzenie DH9Z24B1R Specyfikacja Rev.1.0.pdf
25A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D TO-252B 100 V. 25a Urządzenie+DHS250N10D+specyfikacja+Rev1.0.pdf
50A 120 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET DH150N12 TO-220C DH150N12 To-220C 120 V. 50a Urządzenie DH150N12 Specyfikacja PDF
9A 900 V Tryb wzmacniający N-Kanan Moc MOSFET 9N90 TO-3PN 9N90 TO-3PN 900 V. 9a 英文版 9n90 3pn 技术规格书 .pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 To-220C 98v 120a Urządzenie DHS045N98 Specyfikacja-Rev.1.0.pdf
4A 600 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 Do-220f 600V 4a 英文版 F4N60 技术规格书 .pdf
10A 400 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET 740 TO-220C 740 To-220C 400 V. 10a Device 740 Specyfikacja.pdf
10A 500 V Tryb wzmacniający N MOSFET MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 Do-220f 500 V. 10a 英文版 F10N50 技术规格书 (1) .pdf

Wideo produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com