brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
F4N80/B4N80
90A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30 V 90A Urządzenie DH90N03 B17 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100 V 180A Urządzenie+DSE026N10NA i DSG028N10NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
~!phoenix_var197!~ D110N04 TO-252B 40 V 160A Specyfikacja urządzenia 110N04.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60 V 80A Specyfikacja urządzenia 80N06.pdf
F7N80
F12N70
110A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
4A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET B4N65 TO-251B B4N65 TO-251B 650 V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
65A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30 V 65A Specyfikacja urządzenia DH033N03R.pdf
16A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET F16N65 F16N65 TO-220F 650 V 16A 英文版F16N65技术规格书.pdf
35A 100 V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH100P35 To-220C DH100P35 TO-220C 100 V 35A Specyfikacja urządzenia DH100P35.pdf
20A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 20N65 TO-220C 20N65 TO-220C 650 V 20A 英文版20N65技术规格书AA9.pdf
8A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F8N50 TO-220F F8N50 TO-220F 500 V 8A F8N50_Datesheet_V1.0.pdf
10N80/F10N80/E10N80
20N90D/20N90B
DHU3N90/DHD3N90
81A 30 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30 V 81A DHP90N03_YAF Karta katalogowa_ V1.0(1).pdf
2N60/F2N60/I2N60/E2N60/B2N60/D2N60
8N50/F8N50/B8N50/D8N50

Film o produkcie



  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą