未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet



Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Mosfet

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700 V. 4a 英文版 D4N70 技术规格书 .pdf
200A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30 V. 200a Device DH020N03 (B39) Specyfikacja. PDF
130A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DHS037N10/ DHS037N10F/ DHS037N10E
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 Do-220f 200 V. 18a Device 640 Specyfikacja.pdf
105A 40V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40v 130a Urządzenie DH025N04 Specyfikacja.pdf
60A 68 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 To-220C 68v 60a Urządzenie DH50N06FZC Specyfikacja. PDF
7A 700 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 Do-220f 700 V. 7a 英文版 F7n70 技术规格书 .pdf
61A 60 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 To-220C 60 V. 61a Urządzenie DH16N06 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V. 68a DH140N10B i DH140N10D_DATASHEET_V1.0.PDF
19a 80 V Tryb wzmocnienia kanałów N MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80v 19a Urządzenie DH300N08 Specyfikacja.pdf
120A 80V Tryb wzmacniający N-kanał N Power MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C i TO-263 DSG047N08N3 To-220C 80v 120a DSG047N08N3 i DSE047N08N3_DATASHEET_V1.0.PDF
130A 40V NEC CANLECTEMENT MOC MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40v 130a Urządzenie DH025N04 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30 V. 100a Urządzenie DH100N03 B13 Specyfikacja.pdf
110A 85 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 To-220C 85 V. 110a Urządzenie DHS055N85 Specyfikacja. PDF
100 V/2MΩ/281A N-MOSFET TOLL DSU023N10N3 MYTO 100 V. 281a DSU023N10N3_DATASHEET_V1.0.PDF
18A 500 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 Do-220f 500 V. 18a 英文版 F18N50 技术规格书 .pdf
120A 98V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 To-220C 98v 120a Urządzenie DHS046N10 Specyfikacja.pdf
-50A -40 V Tryb wzmocnienia kanału P DH160P04D TO-252B -40 V. -50a DH160P04D_DATASHEET_V1.0.PDF
120A 80 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 To-220C 80v 120a DSG053N08N3 i DSE051N08N3_DATASHEET_V1.0.PDF
-30a -100 V Tryb wzmocnienia kanału P MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C To-220C -100V -30a Urządzenie DH100P30CB1Q Specyfikacja. PDF

Wideo produktu



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com