未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET



Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

MOSFET

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
120A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100 V 120A Specyfikacja urządzenia DH10H037R.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
8A 500V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 8N50 TO-220C 8N50 TO-220C 500 V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
9A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 TO-252B 650 V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
4A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650 V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
112A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68 V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
120A 98V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS046N10.pdf
40A 60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60 V 40A Specyfikacja urządzenia DH400P06.pdf
MOSFET mocy 140 A, 30 V, tryb wzmocnienia kanału P DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Epitaksjalny tranzystor krzemowy NPN 13003G5 TO-126 13003G5
180A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60 V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_Arkusz danych_V2.0.pdf
8A 600 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 TO-220C 600 V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40 V -50A DH160P04D_Arkusz danych_V1.0.pdf
20A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650 V 20A 英文版20N65D 技术规格书REV1.0.pdf
63A 60V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DH132N06/DH132N06F/DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
19A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19A Specyfikacja urządzenia DH300N08.pdf
240A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Specyfikacja urządzenia DHS025N10.pdf
-30A -60V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60 V -30A DH400P06LD i DH400P06LB_Arkusz danych_V2.0.pdf
30A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60 V 30A Specyfikacja urządzenia DHZ24B31.pdf
120A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C i TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG047N08N3&DSE047N08N3_Arkusz danych_V1.0.pdf

Film o produkcie



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com