未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
25A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30V 150A Zariadenie DH025N03 Špecifikácia.pdf
120A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Špecifikácia zariadenia DH025N03P(1)(1).pdf
47A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 V 47A Špecifikácia zariadenia DH135N10P.pdf
310A 20V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Zariadenie DH009N02 Špecifikácia.pdf
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100 V 12A Špecifikácia zariadenia DH850N10D (1).pdf
P-kanál Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30A
50A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Špecifikácia zariadenia DH150N12.pdf
60A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Zariadenie DH081N03 Špecifikácia.pdf
40A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
0,8A 600V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600 V 0,8A
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V 56A DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
30A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Zariadenie DH081N03R Špecifikácia.pdf
30A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60 V 30A Zariadenie DHZ24B31 Špecifikácia.pdf
320A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Zariadenie DH012N03 Špecifikácia.pdf
4A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
320A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Zariadenie DH012N03 Špecifikácia.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180A Špecifikácia zariadenia DHS020N04D.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
220A 20V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A Zariadenie DH009N02P Špecifikácia.pdf

Video o produkte



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com