未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos » MOSFET



Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

MOSFET

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 100V DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100V 120A Especificación del dispositivo DH10H037R.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 TO-220C 85V 120A Especificación del dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
MOSFET D9N65 TO-252B de potencia del modo de mejora del canal N de 9A 650V D9N65 TO-252B 650V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
MOSFET de potencia 8N50 TO-220C del modo de mejora del canal N de 8A 500V 8N50 TO-220C 500V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
MOSFET B4N65 TO-251 de potencia del modo de mejora del canal N de 4A 650V B4N65 A-251 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 112A 68V DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P de 40A 60V DH400P06 TO-220C DH400P06 TO-220C 60V 40A Especificación del dispositivo DH400P06.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 98V DHS046N10 TO-220C DHS046N10 TO-220C 98V 120A Especificación del dispositivo DHS046N10.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 60V DHS025N06E TO-263 DHS025N06E A-263 60V 180A  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
Transistor de silicio epitaxial NPN 13003G5 TO-126 13003G5
MOSFET de potencia 8N60 TO-220C del modo de mejora del canal N de 8A 600V 8N60 TO-220C 600V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
-50A -40V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH160P04D TO-252B DH160P04D TO-252B -40V -50A DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de 140 A y 30 V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
MOSFET de potencia 20N65D TO-3P del modo de mejora del canal N de 20A 650V 20N65D A-3PN 650V 20A 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 63A y 60 V DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 19A 80V DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Especificación del dispositivo DH300N08.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 240A 100V DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Especificación del dispositivo DHS025N10.pdf
-30A -60V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 30A 60V DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60V 30A Especificación del dispositivo DHZ24B31.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 80V DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C y TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80V 120A DSG047N08N3 y DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf

Vídeo del producto



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com