未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET



Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

MOSFET

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
25A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30 V 150 A Specifikimi i pajisjes DH025N03.pdf
120A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30 V 120A Specifikimi i pajisjes DH025N03P(1)(1).pdf
47A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 V 47A Specifikimi i pajisjes DH135N10P.pdf
310A 20V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20 V 310A Specifikimi i pajisjes DH009N02.pdf
12A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100 V 12A Specifikimi i pajisjes DH850N10D (1).pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanalit P Fuqia MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30 A
50A 120V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120 V 50 A Specifikimi i pajisjes DH150N12.pdf
60A 30V 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30 V 60 A Specifikimi i pajisjes DH081N03.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 40A me fuqi MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30 V 40 A DHD80N03_Fletë e të dhënave_V3.0.pdf
0,8A 600V 600V-N-kanali i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600 V 0.8A
60A 68V N-kanal i përmirësimit të modalitetit të fuqisë MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V 56A DH105N07P_Fletë e të dhënave_V1.0 (1).pdf
30A 30V N-kanal i përmirësimit të modalitetit të fuqisë MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30 V 30 A Specifikimi i pajisjes DH081N03R.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 30A me fuqi MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60 V 30 A Specifikimi i pajisjes DHZ24B31.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 320A me fuqi MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30 V 320A Specifikimi i pajisjes DH012N03.pdf
4A 650V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
320A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30 V 320A Specifikimi i pajisjes DH012N03.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180 A Specifikimi i pajisjes DHS020N04D.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/ I13N50AH1/E13N50AH1
105A 68V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68 V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Fletë e të dhënave+V2.0 .pdf
220A 20V 20V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20 V 220A Specifikimi i pajisjes DH009N02P.pdf

Video e produktit



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com