Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » МОП-транзистор



Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

МОП-транзистор

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
120 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH10H037R TO-220C ДХ10Х037Р ТО-220С 100 В 120А Спецификация устройства DH10H037R.pdf
4А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор B4N65 TO-251 Б4Н65 ТО-251 650В 4А 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf.
112 А, 68 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH100N06 TO-220C ДХ100Н06 ТО-220С 68В 112А DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 120 А, 85 В DHS045N88 TO-220C ДХС045Н88 ТО-220С 85В 120А Спецификация устройства DHS045N88-Rev.1.0.pdf
8А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 8N50 TO-220C 8Н50 ТО-220С 500В 8А 英文版8N50技术规格书.pdf
9А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор D9N65 TO-252B Д9Н65 ТО-252Б 650В 9А 英文版D9N65技术规格书(1).pdf.
120 А, 98 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS046N10 TO-220C ДХС046Н10 ТО-220С 98В 120А Спецификация устройства DHS046N10.pdf
40 А, 60 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH400P06 TO-220C ДХ400П06 ТО-220С 60В 40А Спецификация устройства DH400P06.pdf
-50A -40V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DH160P04D TO-252B ДХ160П04Д ТО-252Б -40В -50А DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
140 А, 30 В, режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
180 А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS025N06E TO-263 DHS025N06E ТО-263 60В 180А  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN 13003G5 TO-126 13003G5
8А, 600 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 8N60 TO-220C 8Н60 ТО-220С 600В 8А 英文版8N60技术规格书.pdf
63А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
20 А, 650 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 20N65D TO-3P 20Н65Д ТО-3ПН 650В 20А 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
240 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS025N10 TO-220C ДХС025Н10 ТО-220С 100 В 240А Спецификация устройства DHS025N10.pdf
19А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH300N08D TO-252B ДХ300Н08Д ТО-252Б 80В 19А Спецификация устройства DH300N08.pdf
120 А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C и TO-263 ДСГ047N08N3 ТО-220С 80В 120А DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
-30A -60V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DH400P06LD TO-252B ДХ400П06ЛД ТО-252Б -60В -30А DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
30 А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHZ24 TO-220C ДХЗ24 ТО-220С 60В 30А Спецификация устройства DHZ24B31.pdf

Видео о продукте



  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com