未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET



модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

MOSFET

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
10A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 ТО-220Ф 500В 10А 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
4A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 ТО-251 650В 4А 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
112A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 ТО-220С 68В 112А DH100N06_Таблиця даних_V3.0.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 120A 85V DHS045N88 TO-220C DHS045N88 ТО-220С 85В 120А Пристрій DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
9A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D9N65 TO-252B D9N65 ТО-252Б 650В 9А 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
8A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 8N50 TO-220C 8N50 ТО-220С 500В 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
120A 98V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS046N10 TO-220C DHS046N10 ТО-220С 98В 120А Специфікація пристрою DHS046N10.pdf
40A 60V P-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH400P06 TO-220C DH400P06 ТО-220С 60В 40А Специфікація пристрою DH400P06.pdf
180A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E ТО-263 60В 180А  DHS025N06&DHS025N06E_DataSheet_V2.0.pdf
-50A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH160P04D TO-252B DH160P04D ТО-252Б -40В -50А DH160P04D_Datasheet_V1.0.pdf
8A 600V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 8N60 TO-220C 8N60 ТО-220С 600В 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
140A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
Епітаксіальний кремнієвий транзистор NPN 13003G5 TO-126 13003G5
20A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 20N65D TO-3P 20N65D ТО-3ПН 650В 20А 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
63A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH132N06/DH132N06F/ DH132N06E/DH132N06B/DH132N06D
240A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 ТО-220С 100В 240А Специфікація пристрою DHS025N10.pdf
19A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D ТО-252Б 80В 19A Специфікація пристрою DH300N08.pdf
-30A -60V Р-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD ТО-252Б -60В -30А DH400P06LD&DH400P06LB_Таблиця даних_V2.0.pdf
30A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 ТО-220С 60В 30А Специфікація пристрою DHZ24B31.pdf
120A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C & TO-263 DSG047N08N3 ТО-220С 80В 120А DSG047N08N3&DSE047N08N3_Таблиця даних_V1.0.pdf

Відео продукту



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com