未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET



модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

MOSFET

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
DSG031N10N3 TO-220C DSG031N10N3
40 В/0,5 мОм/360AN-MOSFET DSU007N04NA Платний пакет DSU007N04NA ПЛАТА 40В 360A DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
100 В 140 А N-MOSFET DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 ТО-220С 100В 140А DSG054N10N3&DSE054N10N3_Таблиця даних_V1.0.pdf
DSE043N14N ТО-263 DSE043N14N ТО-263 135В 180А DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
100A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSP018N04LA DFN5X6 КОМПЛЕКТ DSP018N04LA DFN5X6 40В 100А  DSP018N04LA _DataSheet_V1.0.pdf
180A 135V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG045N14N TO-220 DSG045N14N ТО-220С 135В 180А DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
140A 150V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG070N15NA TO-220C DSG070N15NA ТО-220С 150В 140А  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
-30A -100V Р-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH100P30C TO-220C DH100P30C ТО-220С -100В -30А Специфікація пристрою DH100P30CB1Q.pdf
NPN епітаксіальний кремнієвий транзистор 2SD882 TO-126 2SD882 ТО-126 40В 3A 英文版D882技术规格书.pdf
140A 30V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
100A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40В 100А Donghai DHS021N04P Data Sheet V3.0.pdf
90A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 ТО-252Б 80В 90А Специфікація пристрою DHD80N08.pdf
130A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D ТО-252Б 40В 130А Специфікація пристрою DH025N04.pdf
25A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS250N10D TO-252B DHS250N10D ТО-252Б 100В 25А Пристрій+DHS250N10D+Специфікація+Ред.1.0.pdf
10A 400V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 740 TO-220C 740 ТО-220С 400В 10А Специфікація пристрою 740.pdf
120A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG053N08N3 DSG053N08N3 ТО-220С 80В 120А DSG053N08N3&DSE051N08N3_Таблиця даних_V1.0.pdf
170A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSG030N10N3 TO-220C DSG030N10N3 ТО-220С 100В 170А DSG030N10N3&DSE028N10N3_Таблиця даних_V1.0.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B ТО-251Б 68В 100А Специфікація пристрою DH060N07D.pdf
10A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 ТО-220Ф 500В 10А 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
100A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS008N04P DFN5x6 DHS008N04P DFN5X6 40В 100А DHS008N04P_Datasheet_V1.0.pdf

Відео продукту



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com