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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET

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DSE043N14N TO-263 DSE043N14N TO-263 135 V 180A DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
DSG031N10N3TO-220C DSG031N10N3
Pacchetto PEDAGGIO DSU007N04NA 40 V/0,5 mΩ/360AN-MOSFET DSU007N04NA PEDAGGIO 40 V 360A DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET N 100 V 140 A DSG054N10N3 TO-220C DSG054N10N3 TO-220C 100 V 140A DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DSG045N14N TO-220 in modalità potenziamento canale N da 180 A 135 V DSG045N14N TO-220C 135 V 180A DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
PACCHETTO MOSFET di potenza DSP018N04LA DSP018N04LA in modalità potenziamento canale N da 100 A 40 V DSP018N04LA DFN5X6 40 V 100A  DSP018N04LA _Scheda tecnica_V1.0.pdf
Transistor epitassiale al silicio NPN 2SD882 TO-126 2SD882 TO-126 40 V 3A 英文版D882技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DSG070N15NA TO-220C in modalità potenziamento canale N da 140 A 150 V DSG070N15NA TO-220C 150 V 140A  DSG070N15NA_DataSheet_V1.0.pdf
-30A -100V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH100P30C TO-220C DH100P30C TO-220C -100 V -30A Specifiche del dispositi082e55a73f104966=E-mail
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 140 A 30 V DH060P03/DH060P03F/DH060P03E/DH060P03B/DH060P03D
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 40 V DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40 V 100A Donghai DHS021N04P Scheda tecnica V3.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 130 A 40 V DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40 V 130A Dispositivo DH025N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHD80N08 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 90 A 80 V DHD80N08 TO-252B 80 V 90A Specifiche del dispositivo DHD80N08.pdf
MOSFET di potenza DSG053N08N3 in modalità potenziamento canale N da 120 A 80 V DSG053N08N3 TO-220C 80 V 120A DSG053N08N3&DSE051N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DSG030N10N3 TO-220C con modalità di potenziamento a canale N da 170 A 100 V DSG030N10N3 TO-220C 100 V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DHS250N10D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 25 A 100 V DHS250N10D TO-252B 100 V 25A Dispositivo+DHS250N10D+Specifiche+Rev1.0.pdf
MOSFET di potenza 740 TO-220C in modalità potenziata a canale N da 10 A 400 V 740 TO-220C 400 V 10A Specifiche del dispositivo 740.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 100 V DH10H037R TO-220C DH10H037R TO-220C 100 V 120A Specifiche del dispositivo DH10H037R.pdf
 MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68V 100A Dispositivo DH060N07D Specifiche.pdf
MOSFET di potenza F10N50 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 500 V F10N50 TO-220F 500 V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf

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