未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET



Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

MOSFET

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
220A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40 V 220A Specifikimi i pajisjes DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
110A 60V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60 V 110A DH065N06D_Fletë e të dhënave_V2.0.pdf
10A 650V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650 V 10A 英文版F10N65技术规格书REV1.0.pdf
155A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155A Specifikimi i pajisjes DH035N04.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A DH140N10B&DH140N10D_Sheet_V1.0.pdf
Transistor bipolar i portës së izoluar 18A 650 V DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18A Specifikimi i pajisjes DHG20T65D(TO-220F).pdf
20A 500V 500V të modalitetit të përmirësimit të fuqisë MOSFET 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500 V 20 A Specifikimi i pajisjes 20N50(1).pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS052N10.pdf
14A 650V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-kanal i përmirësimit MOSFET Fuqia MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
100A 85V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85 V 100A Specifikimi i pajisjes DH85N08.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS052N10.pdf
-30A -100V modaliteti i përmirësimit të kanalit P me fuqi MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100 V -30 A Specifikimi i pajisjes DH100P30CB1Q.pdf
49A MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanalit N 80 V DH116N08D TO-252B 80 V 49A Specifikimi i pajisjes DH116N08.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS052N10.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80 V 180 A Specifikimi i pajisjes DH8004 (2).pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS045N88-Rev.1.0.pdf
140A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40 V 140 A Specifikimi i pajisjes DHP035N04.pdf
25A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30 V 150 A Specifikimi i pajisjes DH025N03.pdf

Video e produktit



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com