brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET



Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

MOSFET

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
F4N80/B4N80
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100 V 180A Zariadenie+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
90A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30V 90A Zariadenie DH90N03 B17 Špecifikácia.pdf
160A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40 V 160A Zariadenie 110N04 Špecifikácia.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60 V 80A Zariadenie 80N06 Špecifikácia.pdf
F7N80
110A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
F12N70
65A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Zariadenie DH033N03R Špecifikácia.pdf
4A 650V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET B4N65 TO-251B B4N65 TO-251B 650 V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
16A 650V N-channel režim vylepšenia výkonu MOSFET F16N65 F16N65 TO-220F 650 V 16A 英文版F16N65技术规格书.pdf
35A 100V P-kanál v režime vylepšenia napájania MOSFET DH100P35 To-220C DH100P35 TO-220C 100 V 35A Špecifikácia zariadenia DH100P35.pdf
20A 650V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 20N65 TO-220C 20N65 TO-220C 650 V 20A 英文版20N65技术规格书AA9.pdf
10N80/F10N80/E10N80
20N90D/20N90B
8A 500V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F8N50 TO-220F F8N50 TO-220F 500 V 8A Donghai_F8N50_Datesheet_V1.0.pdf
8N50/F8N50/B8N50/D8N50
81A 30V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30V 81A Donghai_DHP90N03_YAF Datasheet_ V1.0(1).pdf
2N60/F2N60/I2N60/ E2N60/B2N60/D2N60
DHU3N90/DHD3N90

Video o produkte



  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty