F12N70

12A 700V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET

1 Popis

Tieto silikónové N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samozarovnávacou planárnou technológiou, ktorá znižuje

stratu vodivosti, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS.

2 Vlastnosti

● Rýchle prepínanie

● Vylepšená schopnosť ESD

● Nízky odpor (Rdson≤0,9Ω)

● Nízke nabitie brány (Typ: 38nC)

● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 7,0 pF)

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom

● 100 % test ΔVDS

3 Aplikácie

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.

● Obvod vypínača adaptéra a nabíjačky.

VDSS	RDS(zapnuté)(TYP)	ID
700 V	0,71Ω	12A