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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET

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F4N80/B4N80
160 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40V 160A Spezifikation des Geräts 110N04.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 180 A 100 V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100V 180A Gerät+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Spezifikation+Rev.1.0.pdf
90 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30V 90A Gerät DH90N03 B17 Specification.pdf
F7N80
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 80 A 60 V D80N06 TO-252B 60V 80A Gerätespezifikation 80N06.pdf
F12N70
110 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
4A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET B4N65 TO-251B B4N65 TO-251B 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
65 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Gerätespezifikation DH033N03R.pdf
20A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 20N65 TO-220C 20N65 TO-220C 650V 20A 英文版20N65术规格书AA9.pdf
16A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F16N65 F16N65 TO-220F 650V 16A 英文版F16N65技术规格书.pdf
35 A 100 V P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100P35 bis 220 °C DH100P35 TO-220C 100V 35A Gerätespezifikation DH100P35.pdf
20N90D/20N90B
8A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F8N50 TO-220F F8N50 TO-220F 500V 8A Donghai_F8N50_Datesheet_V1.0.pdf
10N80/F10N80/E10N80
81 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30V 81A Donghai_DHP90N03_YAF Datenblatt_ V1.0(1).pdf
8N50/F8N50/B8N50/D8N50
DHU3N90/DHD3N90
2N60/F2N60/I2N60/E2N60/B2N60/D2N60

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