35 A 100 V P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100P35 bis 220 °C

35 A 100 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und bieten einen hervorragenden Rdson mit niedriger Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten

● Niedriger EIN-Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet. 

● Tragbare Geräte und batteriebetriebene Systeme 

● Alertor-Anwendung

VDSS	RDS(ein) (TYP)	AUSWEIS
-100V	37mΩ	-35A