35A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս P-ալիքով ընդլայնված VDMOSFET-ները, օգտագործված առաջադեմ խրամուղիների տեխնոլոգիան և դիզայնը, ապահովում են հիանալի Rdson-ին ցածր դարպասի լիցքավորումով: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Արագ միացում
● Ցածր ON դիմադրություն
● Ցածր դարպասի լիցքավորում
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար:
● Դյուրակիր սարքավորումներ և մարտկոցով աշխատող համակարգեր
● Alertor Application
| VDSS |
RDS (միացված) (TYP) |
ID |
| -100 Վ |
37 mΩ |
-35 Ա |