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35A 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100P35 TO-220C

高度なトレンチテクノロジーとデザインを使用したこれらのPチャネル強化VDMOSFETは、低いゲートチャージで優れたRDSONに提供されます。 ROHS標準と一致しています。
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  • DH100p35

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  • DH100p35

  • TO-220C

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  • 100V

  • 35a

35A 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1説明

高度なトレンチテクノロジーとデザインを使用したこれらのPチャネル強化VDMOSFETは、低いゲートチャージで優れたRDSONに提供されます。 ROHS標準と一致しています。 


2つの機能 

●高速スイッチング

●抵抗が少ない 

●低ゲートチャージ 

●低い逆転送容量 

●100％単一パルス雪崩エネルギーテスト

●100％ΔVDSテスト 


3つのアプリケーション 

●システムの小型化とより高い効率のために、さまざまな電源スイッチング回路で使用されます。 

●ポータブル機器とバッテリー駆動システム 

●アラートルアプリケーション


VDSS rds（on）（typ） id 
-100V 37mΩ -35a



ダウンロード デバイスDH100p35仕様。pdf

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